Study of the electrical activation of Si+-implanted InGaAs by means of Raman scattering

  1. Hernández, S.
  2. Cuscó, R.
  3. Blanco, N.
  4. González-Díaz, G.
  5. Artús, L.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2003

Ausgabe: 93

Nummer: 5

Seiten: 2659-2662

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.1542659 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus