Influence of electron cyclotron resonance nitrogen plasma exposure on the electrical characteristics of SiNx:H/InP structures

  1. Redondo, E.
  2. Mártil, I.
  3. González-Díaz, G.
  4. Castán, H.
  5. Dueñas, S.
Zeitschrift:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

ISSN: 0734-211X

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 19

Nummer: 1

Seiten: 186-191

Art: Artikel

DOI: 10.1116/1.1339010 GOOGLE SCHOLAR
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