Caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en técnologías nanométricas
- Helena Castán Lanaspa Director
Defence university: Universidad de Valladolid
Fecha de defensa: 20 May 2011
- Luis A. Bailón Vega Chair
- Salvador Dueñas Carazo Secretary
- Ignacio Mártil de la Plaza Committee member
- Juan Antonio López Villanueva Committee member
- Francesca Campabadal Segura Committee member
Type: Thesis
Abstract
Estudio de materiales, dieléctricos de alta permitividad, como posibles candidatos para sustituir el dióxido de silicio como aislante de puerta de los transistores en las futuras generaciones de circuitos integrados CMOS. En particular, principalmente por medio de la caracterización eléctrica de películas delgadas de dichos materiales fabricados bajo diferentes condiciones de fabricación. Adicionalmente, se presenta una nueva técnica de caracterización eléctrica, desarrollada y comprobada satisfactoriamente de manera experimental, basada en los transitorios de tensión de banda plana que da cuenta del comportamiento intrínseco de los dieléctricos de alta permitividad.