Caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en técnologías nanométricas

  1. Gómez Bravo, Alfonso
Dirigée par:
  1. Helena Castán Lanaspa Directrice

Université de défendre: Universidad de Valladolid

Fecha de defensa: 20 mai 2011

Jury:
  1. Luis A. Bailón Vega President
  2. Salvador Dueñas Carazo Secrétaire
  3. Ignacio Mártil de la Plaza Rapporteur
  4. Juan Antonio López Villanueva Rapporteur
  5. Francesca Campabadal Segura Rapporteur
Département:
  1. Electricidad y Electrónica

Type: Thèses

Teseo: 309760 DIALNET

Résumé

Estudio de materiales, dieléctricos de alta permitividad, como posibles candidatos para sustituir el dióxido de silicio como aislante de puerta de los transistores en las futuras generaciones de circuitos integrados CMOS. En particular, principalmente por medio de la caracterización eléctrica de películas delgadas de dichos materiales fabricados bajo diferentes condiciones de fabricación. Adicionalmente, se presenta una nueva técnica de caracterización eléctrica, desarrollada y comprobada satisfactoriamente de manera experimental, basada en los transitorios de tensión de banda plana que da cuenta del comportamiento intrínseco de los dieléctricos de alta permitividad.