Caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en técnologías nanométricas
- Helena Castán Lanaspa Director
Universidade de defensa: Universidad de Valladolid
Fecha de defensa: 20 de maio de 2011
- Luis A. Bailón Vega Presidente
- Salvador Dueñas Carazo Secretario
- Ignacio Mártil de la Plaza Vogal
- Juan Antonio López Villanueva Vogal
- Francesca Campabadal Segura Vogal
Tipo: Tese
Resumo
Estudio de materiales, dieléctricos de alta permitividad, como posibles candidatos para sustituir el dióxido de silicio como aislante de puerta de los transistores en las futuras generaciones de circuitos integrados CMOS. En particular, principalmente por medio de la caracterización eléctrica de películas delgadas de dichos materiales fabricados bajo diferentes condiciones de fabricación. Adicionalmente, se presenta una nueva técnica de caracterización eléctrica, desarrollada y comprobada satisfactoriamente de manera experimental, basada en los transitorios de tensión de banda plana que da cuenta del comportamiento intrínseco de los dieléctricos de alta permitividad.