Characterization of the DX centers in AlGaAs:Si by admittance spectroscopy

  1. Dueñas, S.
  2. Izpura, I.
  3. Arias, J.
  4. Enríquez, L.
  5. Barbolla, J.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1991

Ausgabe: 69

Nummer: 8

Seiten: 4300-4305

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.348403 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus