Characterization of the DX centers in AlGaAs:Si by admittance spectroscopy

  1. Dueñas, S.
  2. Izpura, I.
  3. Arias, J.
  4. Enríquez, L.
  5. Barbolla, J.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 1991

Alea: 69

Zenbakia: 8

Orrialdeak: 4300-4305

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.348403 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus