Characterization of the damage induced in boron-implanted and RTA annealed silicon by the capacitance-voltage transient technique

  1. Duenas, S.
  2. Castan, E.
  3. Enriquez, L.
  4. Barbolla, J.
  5. Montserrat, J.
  6. Lora-Tamayo, E.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 1994

Volumen: 9

Número: 9

Páginas: 1637-1648

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/9/9/011 GOOGLE SCHOLAR
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