Reduction of transient diffusion from 1-5 keV Si+ ion implantation due to surface annihilation of interstitials
- Agarwal, A.
- Gossmann, H.-J.
- Eaglesham, D.J.
- Pelaz, L.
- Jacobson, D.C.
- Haynes, T.E.
- Erokhin, Yu.E.
ISSN: 0003-6951
Datum der Publikation: 1997
Ausgabe: 71
Nummer: 21
Seiten: 3141-3143
Art: Artikel