Study of the dislocations in Si-doped GaAs comparing diluted Sirtl light etching, electron-beam-induced current, and micro-Raman techniques

  1. Martín, P.
  2. Jiménez, J.
  3. Frigeri, C.
  4. Sanz, L.F.
  5. Weyher, J.L.
Revista:
Journal of Materials Research

ISSN: 0884-2914

Any de publicació: 1999

Volum: 14

Número: 5

Pàgines: 1732-1743

Tipus: Article

DOI: 10.1557/JMR.1999.0235 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus