Use of transient enhanced diffusion to tailor boron out-diffusion

  1. Vuong, H.-H.
  2. Xie, Y.-H.
  3. Frei, M.R.
  4. Hobler, G.
  5. Pelaz, L.
  6. Rafferty, C.S.
Aldizkaria:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Argitalpen urtea: 2000

Alea: 47

Zenbakia: 7

Orrialdeak: 1401-1405

Mota: Artikulua

DOI: 10.1109/16.848283 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus