Experimental verification of direct tunneling assisted electron capture of disordered-induced gap states in metal-insulator-semiconductor structures

  1. Castán, H.
  2. Dueñas, S.
  3. Barbolla, J.
Revista:
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

ISSN: 0021-4922

Año de publicación: 2002

Volumen: 41

Número: 11 A

Tipo: Carta

DOI: 10.1143/JJAP.41.L1215 GOOGLE SCHOLAR

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