Effect of growth temperature and postmetallization annealing on the interface and dielectric quality of atomic layer deposited HfO2 on p and n silicon
- Dueñas, S.
- Castán, H.
- García, H.
- Barbolla, J.
- Kukli, K.
- Aarik, J.
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2004
Volumen: 96
Número: 3
Páginas: 1365-1372
Tipo: Artículo