Atomistic modeling of ion beam induced defects in Si: From point defects to continuous amorphous layers
ISSN: 0272-9172
Datum der Publikation: 2004
Ausgabe: 810
Seiten: 431-436
Art: Konferenz-Beitrag
ISSN: 0272-9172
Datum der Publikation: 2004
Ausgabe: 810
Seiten: 431-436
Art: Konferenz-Beitrag