Atomistic modeling of ion beam induced defects in Si: From point defects to continuous amorphous layers
ISSN: 0272-9172
Année de publication: 2004
Volumen: 810
Pages: 431-436
Type: Communication dans un congrès
ISSN: 0272-9172
Année de publication: 2004
Volumen: 810
Pages: 431-436
Type: Communication dans un congrès