Influence of single and double deposition temperatures on the interface quality of atomic layer deposited Al2O3 dielectric thin films on silicon

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2006

Volumen: 99

Número: 5

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.2177383 GOOGLE SCHOLAR