Atomistic analysis of the annealing behavior of amorphous regions in silicon

  1. López, P.
  2. Pelaz, L.
  3. Marqús, L.A.
  4. Santos, I.
Revue:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Année de publication: 2007

Volumen: 101

Número: 9

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.1063/1.2729468 GOOGLE SCHOLAR
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