Electrical properties of thin zirconium and hafnium oxide high-k gate dielectrics grown by atomic layer deposition from cyclopentadienyl and ozone precursors

  1. Dueñas, S.
  2. Castán, H.
  3. Garcia, H.
  4. Gómez, A.
  5. Bailón, L.
  6. Kukli, K.
  7. Niinistö, J.
  8. Ritala, M.
  9. Leskelä, M.
Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

ISSN: 1071-1023

Any de publicació: 2009

Volum: 27

Número: 1

Pàgines: 389-393

Tipus: Article

DOI: 10.1116/1.3025865 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus