Electrical properties of thin zirconium and hafnium oxide high-k gate dielectrics grown by atomic layer deposition from cyclopentadienyl and ozone precursors

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Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

ISSN: 1071-1023

Año de publicación: 2009

Volumen: 27

Número: 1

Páginas: 389-393

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/1.3025865 GOOGLE SCHOLAR
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