Atomistic analysis of B clustering and mobility degradation in highly B-doped junctions

  1. Aboy, M.
  2. Pelaz, L.
  3. Ló pez, P.
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Revista:
International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields

ISSN: 0894-3370,  1099-1204

Año de publicación: 2010

Volumen: 23

Número: 4-5

Páginas: 266-284

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/JNM.737 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

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