Single-parameter model for the post-breakdown conduction characteristics of HoTiOx-based MIM capacitors

  1. Blasco, J.
  2. Castán, H.
  3. García, H.
  4. Dueñas, S.
  5. Suñé, J.
  6. Kemell, M.
  7. Kukli, K.
  8. Ritala, M.
  9. Leskelä, M.
  10. Miranda, E.
Revista:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Any de publicació: 2014

Volum: 54

Número: 9-10

Pàgines: 1707-1711

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1016/J.MICROREL.2014.07.067 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus