Electrical Characterization of Defects Created by γ-Radiation in HfO2-Based MIS Structures for RRAM Applications

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Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Año de publicación: 2018

Volumen: 47

Número: 9

Páginas: 5013-5018

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1007/S11664-018-6257-Y GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
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