Experimental observation of negative susceptance in HfO2-based RRAM devices

  1. Duenas, S.
  2. Castan, H.
  3. Garcia, H.
  4. Ossorio, O.G.
  5. Dominguez, L.A.
  6. Miranda, E.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Any de publicació: 2017

Volum: 38

Número: 9

Pàgines: 1216-1219

Tipus: Article

DOI: 10.1109/LED.2017.2723054 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus