Experimental observation of negative susceptance in HfO2-based RRAM devices

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Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2017

Ausgabe: 38

Nummer: 9

Seiten: 1216-1219

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2017.2723054 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus