Simulation of defects and diffusion phenomena in silicon

  1. Law, M.E.
  2. Gilmer, G.H.
  3. Jaraíz, M.
Revista:
MRS Bulletin

ISSN: 0883-7694

Any de publicació: 2000

Volum: 25

Número: 6

Pàgines: 45-50

Tipus: Article

DOI: 10.1557/MRS2000.98 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus