Atomistic calculations of ion implantation in Si: Point defect and transient enhanced diffusion phenomena
- Jaraiz, M.
- Gilmer, G.H.
- Poate, J.M.
- De La Rubia, T.D.
Revista:
Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951
Any de publicació: 1995
Pàgines: 409
Tipus: Article