Atomistic calculations of ion implantation in Si: Point defect and transient enhanced diffusion phenomena
- Jaraiz, M.
- Gilmer, G.H.
- Poate, J.M.
- De La Rubia, T.D.
Aldizkaria:
Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951
Argitalpen urtea: 1995
Orrialdeak: 409
Mota: Artikulua