Growth of epitaxial layers of in doping GaAs by the vapour-phase epitaxial Trichloride method using a Gallium-Indium alloyed source
- Coronado, M.L.
- Abril, E.J.
- Aguilar, M.
ISSN: 1347-4065, 0021-4922
Datum der Publikation: 1987
Ausgabe: 26
Nummer: 3 A
Seiten: L193-L195
Art: Artikel