Indium isoelectronic doping influence on etch pit density in gaas layers grown by vapour phase epitaxy

  1. Coronado, M.L.
  2. Abril, E.J.
  3. Aguilar, M.
Zeitschrift:
Japanese Journal of Applied Physics

ISSN: 1347-4065,  0021-4922

Datum der Publikation: 1986

Ausgabe: 25

Nummer: 11 A

Seiten: L899-L901

Art: Artikel

DOI: 10.1143/JJAP.25.L899 GOOGLE SCHOLAR
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