A new method for temperature mapping on GaAs field effect transistors

  1. Martin, E.
  2. Landesman, J.P.
  3. Braun, P.
  4. Fily, A.
Revista:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Any de publicació: 1998

Volum: 38

Número: 6-8

Pàgines: 1245-1250

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S0026-2714(98)00095-X GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus