W and X Photoluminescence Centers in Crystalline Si: Chasing Candidates at Atomic Level Through Multiscale Simulations

  1. Aboy, M.
  2. Santos, I.
  3. López, P.
  4. Marqués, L.A.
  5. Pelaz, L.
Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Año de publicación: 2018

Volumen: 47

Número: 9

Páginas: 5045-5049

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1007/S11664-018-6300-Z GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

Proyectos relacionados

EXPLORACIÓN MEDIANTE MODELADO DE ESTRATEGIAS DE INGENIERÍA DE DEFECTOS EN ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

2014/00426/001

Fuente de los datos: Scopus