Damage, defects and diffusion from ultra-low energy (0-5 keV) ion implantation of silicon

  1. Agarwal, A.
  2. Gossmann, H.-J.
  3. Eaglesham, D.J.
  4. Pelaz, L.
  5. Herner, S.B.
  6. Jacobson, D.C.
  7. Haynes, T.E.
  8. Simonton, R.
Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Any de publicació: 1998

Volum: 1

Número: 1

Pàgines: 17-25

Tipus: Article

DOI: 10.1016/S1369-8001(98)00008-0 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus