Caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación en técnologías nanométricas

  1. Gómez Bravo, Alfonso
Dirigida por:
  1. Helena Castán Lanaspa Directora

Universidad de defensa: Universidad de Valladolid

Fecha de defensa: 20 de mayo de 2011

Tribunal:
  1. Luis A. Bailón Vega Presidente
  2. Salvador Dueñas Carazo Secretario
  3. Ignacio Mártil de la Plaza Vocal
  4. Juan Antonio López Villanueva Vocal
  5. Francesca Campabadal Segura Vocal
Departamento:
  1. Electricidad y Electrónica

Tipo: Tesis

Teseo: 309760 DIALNET

Resumen

Estudio de materiales, dieléctricos de alta permitividad, como posibles candidatos para sustituir el dióxido de silicio como aislante de puerta de los transistores en las futuras generaciones de circuitos integrados CMOS. En particular, principalmente por medio de la caracterización eléctrica de películas delgadas de dichos materiales fabricados bajo diferentes condiciones de fabricación. Adicionalmente, se presenta una nueva técnica de caracterización eléctrica, desarrollada y comprobada satisfactoriamente de manera experimental, basada en los transitorios de tensión de banda plana que da cuenta del comportamiento intrínseco de los dieléctricos de alta permitividad.