Characterization of the DX centers in AlGaAs:Si by admittance spectroscopy

  1. Dueñas, S.
  2. Izpura, I.
  3. Arias, J.
  4. Enríquez, L.
  5. Barbolla, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1991

Volumen: 69

Número: 8

Páginas: 4300-4305

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.348403 GOOGLE SCHOLAR
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