Dopant level freeze-out and nonideal effects in 6H-SiC epilayer junctions
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1996
Volum: 79
Número: 1
Pàgines: 310-315
Tipus: Article
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1996
Volum: 79
Número: 1
Pàgines: 310-315
Tipus: Article