Dopant level freeze-out and nonideal effects in 6H-SiC epilayer junctions
ISSN: 0021-8979
Argitalpen urtea: 1996
Alea: 79
Zenbakia: 1
Orrialdeak: 310-315
Mota: Artikulua
ISSN: 0021-8979
Argitalpen urtea: 1996
Alea: 79
Zenbakia: 1
Orrialdeak: 310-315
Mota: Artikulua