Dopant level freeze-out and nonideal effects in 6H-SiC epilayer junctions

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1996

Ausgabe: 79

Nummer: 1

Seiten: 310-315

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.360831 GOOGLE SCHOLAR

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