Reduction of transient diffusion from 1-5 keV Si+ ion implantation due to surface annihilation of interstitials

  1. Agarwal, A.
  2. Gossmann, H.-J.
  3. Eaglesham, D.J.
  4. Pelaz, L.
  5. Jacobson, D.C.
  6. Haynes, T.E.
  7. Erokhin, Yu.E.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 1997

Volumen: 71

Número: 21

Páginas: 3141-3143

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.120552 GOOGLE SCHOLAR
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