The role of silicon interstitials in the deactivation and reactivation of high concentration boron profiles

  1. Aboy, M.
  2. Pelaz, L.
  3. Marqués, L.A.
  4. Löpez, P.
  5. Barbolla, J.
  6. Venezia, V.C.
  7. Duffy, R.
  8. Griffin, P.B.
Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Any de publicació: 2004

Volum: 114-115

Número: SPEC. ISS.

Pàgines: 193-197

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1016/J.MSEB.2004.07.056 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus