The role of silicon interstitials in the deactivation and reactivation of high concentration boron profiles

  1. Aboy, M.
  2. Pelaz, L.
  3. Marqués, L.A.
  4. Löpez, P.
  5. Barbolla, J.
  6. Venezia, V.C.
  7. Duffy, R.
  8. Griffin, P.B.
Zeitschrift:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Datum der Publikation: 2004

Ausgabe: 114-115

Nummer: SPEC. ISS.

Seiten: 193-197

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/J.MSEB.2004.07.056 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus