The role of silicon interstitials in the deactivation and reactivation of high concentration boron profiles

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Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Ano de publicación: 2004

Volume: 114-115

Número: SPEC. ISS.

Páxinas: 193-197

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1016/J.MSEB.2004.07.056 GOOGLE SCHOLAR
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