Atomistic modeling of ion beam induced defects in Si: From point defects to continuous amorphous layers

  1. Pelaz, L.
  2. Marqués, L.A.
  3. López, P.
  4. Santos, I.
  5. Aboy, M.
  6. Barbolla, J.
Actas:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Año de publicación: 2004

Volumen: 810

Páginas: 431-436

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1557/PROC-810-C10.1 GOOGLE SCHOLAR
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