Atomistic modeling of dopant implantation and annealing in Si: Damage evolution, dopant diffusion and activation

  1. Pelaz, L.
  2. Marqués, L.A.
  3. Aboy, M.
  4. López, P.
  5. Barbolla, J.
Revista:
Computational Materials Science

ISSN: 0927-0256

Any de publicació: 2005

Volum: 33

Número: 1-3

Pàgines: 92-105

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1016/J.COMMATSCI.2004.12.043 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus