Atomistic modeling of dopant implantation and annealing in Si: Damage evolution, dopant diffusion and activation
ISSN: 0927-0256
Datum der Publikation: 2005
Ausgabe: 33
Nummer: 1-3
Seiten: 92-105
Art: Konferenz-Beitrag
ISSN: 0927-0256
Datum der Publikation: 2005
Ausgabe: 33
Nummer: 1-3
Seiten: 92-105
Art: Konferenz-Beitrag