Comprehensive model of damage accumulation in silicon

  1. Mok, K.R.C.
  2. Benistant, F.
  3. Jaraiz, M.
  4. Rubio, J.E.
  5. Castrillo, P.
  6. Pinacho, R.
  7. Srinivasan, M.P.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2008

Volumen: 103

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.2829815 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible

Fuente de los datos: Scopus