Atomistic modeling of defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures
ISSN: 0040-6090
Datum der Publikation: 2010
Ausgabe: 518
Nummer: 9
Seiten: 2448-2453
Art: Artikel
ISSN: 0040-6090
Datum der Publikation: 2010
Ausgabe: 518
Nummer: 9
Seiten: 2448-2453
Art: Artikel