Atomistic modeling of defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures
ISSN: 0040-6090
Année de publication: 2010
Volumen: 518
Número: 9
Pages: 2448-2453
Type: Article
ISSN: 0040-6090
Année de publication: 2010
Volumen: 518
Número: 9
Pages: 2448-2453
Type: Article