2 MeV electron irradiation effects on bulk and interface of atomic layer deposited high-k gate dielectrics on silicon

  1. García, H.
  2. Castán, H.
  3. Dueñas, S.
  4. Bailón, L.
  5. Campabadal, F.
  6. Rafí, J.M.
  7. Zabala, M.
  8. Beldarrain, O.
  9. Ohyama, H.
  10. Takakura, K.
  11. Tsunoda, I.
Revista:
Thin Solid Films

ISSN: 0040-6090

Any de publicació: 2013

Volum: 534

Pàgines: 482-487

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.TSF.2013.02.004 GOOGLE SCHOLAR