Single-parameter model for the post-breakdown conduction characteristics of HoTiOx-based MIM capacitors

  1. Blasco, J.
  2. Castán, H.
  3. García, H.
  4. Dueñas, S.
  5. Suñé, J.
  6. Kemell, M.
  7. Kukli, K.
  8. Ritala, M.
  9. Leskelä, M.
  10. Miranda, E.
Revista:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Año de publicación: 2014

Volumen: 54

Número: 9-10

Páginas: 1707-1711

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/J.MICROREL.2014.07.067 GOOGLE SCHOLAR
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