Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices

  1. Dueñas, S.
  2. Castán, H.
  3. Ossorio, O.G.
  4. Domínguez, L.A.
  5. García, H.
  6. Kalam, K.
  7. Kukli, K.
  8. Ritala, M.
  9. Leskelä, M.
Actes:
2017 32nd Conference on Design of Circuits and Integrated Systems, DCIS 2017 - Proceedings

ISBN: 9781538651087

Any de publicació: 2018

Volum: 2017-November

Pàgines: 1-4

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1109/DCIS.2017.8311627 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus